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当社の光半導体製品は、米国メリーランド州の施設内で 製造されています。
リン化インジウム、ヒ化ガリウム、ならびにアンチモン化ガリウムの III-V族化合物半導体や、
MEMS-VCSELレーザ、量子カスケードレーザ、 ニオブ酸リチウム(LN)光変調器など
幅広い種類のアクティブ光学機器を製造しております。
ここでは、半導体の設計からウェハ製造、パッケージング、
テストに至るまでを垂直統合しています。
当社で開発・製造している幅広いフォトニクス製品の一部として、 様々な半導体製品をご提供しております。
また、研究や製造現場ならびに通信産業で使用される カスタム製品やOEM製品もご提供しております。
当社の設計部門では、豊富なツールや経験を駆使し、
新規ならびに既存製品の開発・製造が行われています。
エピタキシャル・ウェハ成長のシミュレーション、波動光学設計、
オプトメカニクスのパッケージングなど、幅広い設計経験を 有しています。
ウェハ製造施設は、当社のクラス100ならびにクラス1000の クリーンルーム内にあります。
この施設は、III-V族化合物半導体や ニオブ酸リチウム(LN)部品の量産製造だけでなく、
精密テストターゲットなどの精密な微小構造を有する 製品製造用に設計されました。
当社の分子線エピタキシ装置(MBE)は、III-V族化合物 半導体のエピタキシャル成長に使用され、
ガリウム、ヒ素、インジウム、リン、アルミニウム、 アンチモンから成る
複雑な多重量子井戸構造を成長させることが可能です。
当社の蒸着、フォトリソグラフィ、エッチングの技術で、 サブミクロン精度で、パターン状の蒸着または
除去をすることができます。 蒸着にはプラズマエッチング化学気相蒸着、RFスパッタ蒸着、
電子ビーム蒸着、ならびにメッキ加工があります。
エッチング技術には誘導結合型プラズマ反応性イオン(ICP) ドライエッチングとケミカルエッチングがあります。
多くの半導体デバイスは単体のウェハ上に加工されているため、
個々のデバイスとなるようウエハをカットしなければなりません。 当社ではこの工程が素早く且つ確実に行えるよう、
自動クリービング、ダイシング、ならびに ピックアンドプレース装置を備えております。
クリーブ後、光学面は反射防止または高反射の
誘電体多層膜が形成され、多層膜は 多波長エリプソメトリによって
その特性が評価されます。
ウェハ製造の再現性は当社の経験豊富な計測技術に よって保証されています。
ここでご紹介する表面プロファイル測定もその一つです。
ウェハ工程により製造された半導体チップは、 様々なオプトエレクトロニクスのパッケージタイプで
ご提供しています。パッケージングは当社の クラス 10,000 のクリーンルーム内で行われます。
当社の自動ダイボンディング工程により半導体チップは セラミック製のサブマウントに、
ワイヤーボンディング工程により細いワイヤーリードが デバイスの電気接続部に取り付けられます。
パッケージ内の光学素子は特許取得済みのレーザ溶接手法に よって位置決め及び取り付けが行われます。
半導体パッケージは、工程の最後に、性能が長期的に 安定するよう気密封止されます。
当社の半導体製品は、広範なテストならびに品質保証工程を 経てから出荷されます。
テストにはバーンインテスト、信頼性テスト、環境テスト、
詳細な特性評価などが含まれます。
半導体製造についてのさらに詳しい情報や、在庫品、カスタム製品、
OEM製品ご購入に関する情報については 当社のホームページをご覧ください。